企业简介
广州市众拓光电科技有限公司 main business:能源技术研究、技术开发服务;材料科学研究、技术开发;新材料技术转让服务;电子、通信与自动控制技术研究、开发;节能技术转让服务;电子元件及组件制造;工程和技术研究和试验发展;光电子器件及其他电子器件制造;工程和技术基础科学研究服务; and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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广州市众拓光电科技有限公司的工商信息
- 440108000036313
- 91440116567937881L
- 在营（开业）企业
- 其他有限责任公司
- 2011年01月26日
- 贺增林
- 6381.820000
- 2011年01月26日 至 永久
- 广州市黄埔区市场和质量监督管理局
- 2018年08月07日
- 广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
- 能源技术研究、技术开发服务;材料科学研究、技术开发;新材料技术转让服务;电子、通信与自动控制技术研究、开发;节能技术转让服务;电子元件及组件制造;工程和技术研究和试验发展;光电子器件及其他电子器件制造;工程和技术基础科学研究服务;
广州市众拓光电科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104037284B | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub |
| 2 | CN103996605B | 一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用。本发明通过在MBE蒸发源的中间区域增加 |
| 3 | CN104037285B | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN |
| 4 | CN104037282B | 生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用 | 2017.03.08 | 本发明公开了生长在Si衬底上的AlGaN薄膜，其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜； |
| 5 | CN103996610B | 一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用，所述生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 |
| 6 | CN104037293B | 一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法，其采用如下制备方法获得：采用Si图形 |
| 7 | CN103996606B | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 | 2017.01.25 | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub>3 |
| 8 | CN103996611B | 一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种生长在金属Al衬底上生长的GaN薄膜及其制备方法和应用，所述生长在金属Al衬底上生长 |
| 9 | CN103996756B | 一种镀膜方法及其应用 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种镀膜方法及应用，按以下步骤进行：1)衬底以及其晶向的选取；2)使用PLD工艺在衬底上 |
| 10 | CN103996764B | 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种生长在Ag衬底的LED外延片，包括Ag衬底、AlN缓冲层、U‑GaN薄膜层、N‑Ga |
| 11 | CN104037287B | 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法，其采用如下制备方法获得：采用Si衬底，选 |
| 12 | CN103996763B | 一种生长在金属Al衬底上的LED外延片及其制备方法和应用 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111)晶面 |
| 13 | CN103996607B | 生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 | 2016.10.19 | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub>3< |
| 14 | CN103996614B | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2016.09.07 | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub>3 |
| 15 | CN104018214B | 一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板及其制备方法 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板，包括Si衬底以及在Si衬底上的 |
| 16 | CN103035496B | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2016.03.23 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al<sub>2 |
| 17 | CN103035794B | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2015.11.11 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al |
| 18 | CN204130574U | 一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜 | 2015.01.28 | 本实用新型公开了一种生长在金属Al衬底上生长的GaN薄膜及其制备方法和应用，所述生长在金属Al衬底上 |
| 19 | CN102945898B | 生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 | 2015.09.30 | 本发明公开了一种生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜，其采用金属Ag为衬底，选择Ag衬底的（111）晶面 |
| 20 | CN102945899B | 生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜及其制备方法、应用 | 2015.09.02 | 本发明公开了一种生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜，其采用以下方法制得：采用金属Ag为衬底，选择A |
| 21 | CN104638096A | 一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法 | 2015.05.20 | 本发明提供一种用于垂直结构LED芯片的铜基板的制备方法，包括如下步骤：1)在外延片表面蒸镀一层P型金 |
| 22 | CN204257684U | 一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 | 2015.04.08 | 本实用新型公开了一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜，其包括金属Al衬底、生长在金属Al衬底上的AlN |
| 23 | CN204204895U | 生长在Cu衬底的GaN薄膜 | 2015.03.11 | 本实用新型公开了一种生长在Cu衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和GaN薄膜， |
| 24 | CN204204894U | 在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜 | 2015.03.11 | 本实用新型公开了一种在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜，它包括LiGaO<sub>2</sub |
| 25 | CN103022295B | 一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 | 2015.03.04 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlN薄膜，其采用如下制备方法获得：采用Si衬底，选择Si衬底的（ |
| 26 | CN204189814U | 生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜 | 2015.03.04 | 本实用新型涉及一种生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub> |
| 27 | CN204189815U | 一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜 | 2015.03.04 | 本实用新型公开了一种生长在金属Al衬底上生长的AlN薄膜，所述生长在金属Al衬底上生长的AlN薄膜包 |
| 28 | CN204045614U | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜 | 2014.12.24 | 本实用新型涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub |
| 29 | CN203983318U | 生长在Cu衬底的AlN薄膜 | 2014.12.03 | 本实用新型公开了一种生长在Cu衬底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和AlN薄膜， |
| 30 | CN203950831U | 生长在Cu衬底的LED外延片 | 2014.11.19 | 本实用新型公开了一种生长在Cu衬底的LED外延片，包括Cu衬底、AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N- |
| 31 | CN203910839U | 一种生长在Si衬底上的LED外延片 | 2014.10.29 | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</ |
| 32 | CN203910840U | 一种生长在Si图形衬底上的LED外延片 | 2014.10.29 | 本实用新型公开了一种生长在Si图形衬底上的LED外延片,其包括Si图形衬底，所述Si图形衬底的晶体取 |
| 33 | CN203910838U | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 | 2014.10.29 | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</s |
| 34 | CN203895485U | 一种生长在金属Al衬底上的LED外延片 | 2014.10.22 | 本实用新型公开了一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111) |
| 35 | CN203895486U | 生长在Ag衬底上的LED外延片 | 2014.10.22 | 本实用新型公开了一种生长在Ag衬底上的LED外延片，包括Ag衬底、AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N |
| 36 | CN203895487U | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 | 2014.10.22 | 本实用新型涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub |
| 37 | CN203895413U | 一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备 | 2014.10.22 | 本实用新型公开了一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备。本实用新型通过在MBE蒸发源的中间区域增加 |
| 38 | CN104037285A | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN |
| 39 | CN104037288A | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</su |
| 40 | CN104037293A | 一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法，其采用如下制备方法获得：采用Si图形 |
| 41 | CN104037284A | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括Si衬底、AlN成核层、Al<sub>x</sub |
| 42 | CN104037291A | 一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法 | 2014.09.10 | 本发明涉及一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜，所述半极性GaN薄膜包括Si衬底以及在Si衬底 |
| 43 | CN104037282A | 生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用 | 2014.09.10 | 本发明公开了生长在Si衬底上的AlGaN薄膜，其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜； |
| 44 | CN104037287A | 生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | 2014.09.10 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法，其采用如下制备方法获得：采用Si衬底，选 |
| 45 | CN104018214A | 一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板及其制备方法 | 2014.09.03 | 本发明涉及一种用于GaN半导体材料外延的矩形图形化Si衬底AlN模板，包括Si衬底以及在Si衬底上的 |
| 46 | CN103996764A | 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用 | 2014.08.20 | 本发明公开了一种生长在Ag衬底的LED外延片，包括Ag衬底、AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N-Ga |
| 47 | CN103996606A | 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 | 2014.08.20 | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al<sub>2</sub>O<sub>3 |
| 48 | CN103996605A | 一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用 | 2014.08.20 | 本发明公开了一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用。本发明通过在MBE蒸发源的中间区域增加 |
| 49 | CN103996763A | 一种生长在金属Al衬底上的LED外延片及其制备方法和应用 | 2014.08.20 | 本发明公开了一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111)晶面 |
| 50 | CN103996610A | 一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 | 2014.08.20 | 本发明公开了一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用，所述生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 |
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